Главная		Объявления	Контакты	ENGLISH
	Сотрудники

	3.		Физика межфазовых границ и низкоразмерных систем Руководитель профессор Александр Петрович Барабан 1. Барабан Александр Петрович Baraban Alexander Petrovich 2. a.baraban@spbu.ru , alnbaraban@yandex.ru 3. Область научных интересов. Изучение неравновесных электронных процессов и электрофизических свойств слоистых структур на основе структур полупроводник-диэлектрик, являющихся в настоящее время базовыми структурами микроэлектроники. Изучение процессов взаимодействия электронной и атомной подсистем твердого тела при их возбуждении ионами, электронами, ионизирующим облучением. Использование люминесцентных методов для исследования слоистых структур на основе полупроводников и исследования межфазовой границы диэлектрик-диэлектрик. Исследование физико-химических свойств слоистых структур на основе полупроводников, формируемых на принципах молекулярного наслаивания, с целью создания на их основе функциональных элементов двойного применения. 4. Список супер трудов за весь период научной деятельности 1. Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П. Электроника слоев SiO2 на кремнии. 1988, Ленинград, изд. ЛГУ, 304 с. 2. Барабан А.П., Дмитриев В. А., Петров Ю.В Электролюминесценция в твердотельных слоистых структурах на основе кремния. СПб.: Изд-во С.-Петерб. ун-та, 2009. 195 с. 3. Baraban A.P., Semykina E.A.,Vaniochov M.B. «An improved physical model of the 2.7 eV electroluminescence from thin SiO2 films». Semicond. Sci. Technol., 2006, v.21, p. 881-885. Патент на изобретение №2343587. Приоритет от 07.12.2006. Зарегистрировано 10.01.2009. Барабан А.П., Дрозд В.Е., Никифорова И.О. Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения. 5. Последние публикации. 1. A. P. Baraban, V. A. Dmitriev, V. E. Drozd, V. A. Prokofiev, S. N. Samarin, and E. O. Filatova Interface properties of Si-SiO2-Ta2O5 structure by cathodoluminescencespectroscopy // Journal of Applied Physics, 2016. — Vol. 119, — P. 055307-5 2. A. P. Baraban, V. A. Dmitriev, V. A. Prokofiev, V. E. Drozd, and E. O. Filatova Photoluminescence of Ta2O5 Films Formed by the Molecular Layer Deposition Method //Technical Physics Letters 2016, Vol. 42, No. 4, p.341-343 3. Baraban A.P., Gabis I.E., Dmitriev V.A., Dobrotvorskii M.A., Kuznetsov V.G., Matveeva O.P., Titov S.A., Voyt A.P., Yelets D.I. Luminescent properties of aluminum hydride // Journal of Luminescence, 2015. — Vol. 166, — P. 162-166 4. Yu.V. Petrov, T.V. Sharov, A.P. Baraban, O.F. Vyvenko Effect of helium ion beam treatment on the etching rate of silicon nitride // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2015. — Vol. 349, — P. 90-95 5. Sergey N. Samarin, Oleg M. Artamonov, Alexander P. Baraban, Mikhail Kostylev,Paul Guagliardo, and J. F. Williams Excitation of plasmons in Ag/Fe/W structure by spin-polarized electrons // Applied Physics Letters, 2015. — Vol. 107, — P. 101602-1-101602-5. 6. A.P.Baraban.V. A. Dmitriev, and A. A. Gadzhala Luminescence of degraded Si-SiO2 structures // Russian Physics Journal, 2014. — Vol. 57, — № 5. — P. 627-632 7. E O Filatova, A P Baraban, A S Konashuk, M A Konyushenko,A A Selivanov, A A Sokolov, F Schaefers and V E Drozd Transparent-conductive-oxide (TCO) buffer layer effect on resistive switching process in metal/TiO2/TCO/metal assemblies // New Journal of Physics, 2014. — Vol. 16, — P. 113014 - 15 8. Барабан А.П.,Войт А.П., Габис И.Е., Дмитриев В.А., Добротворский М.А., Селиванов А.А. Особенности слоистых структур на основе кремния, содержащих пленки гидридов металлов // Вестник санкт-петербургского университета. Серия 4: физика, химия, 2014. — t. 1, — № 3. — с. 342-347 9. I.E. Gabis, A.P. Baraban, V.G. Kuznetsov, D.I. Elets, M.A. Dobrotvorskii, A.P. Voyt A mechanism of ultraviolet activation of the α-AlH3 decomposition // International Journal of Hydrogen Energy, 2014. — Vol. 39, — P. 15844 -15850 10. A.P.Baraban, V. A. Dmitriev, and A. A. Gadzhala Luminescence of degraded Si-SiO2 structures. Russian Physics Journal, 2014, v.57,№5, р.627-632
			Сотрудники
Главная		Объявления		Контакты	ENGLISH