Title: В данной работе было проведено спектроскопическое исследование процессов заселения возбужденных состояний - конфигурации атома неона в плазме, создаваемой импульсным разрядом в гелии с малой примесью неона
Author: Yuri Skoblo
Last saved by: МВидео
Company: SPbGU

Специализация: 010700/04 Физика полупроводников. Микроэлектроника.
Программа: 31 Физика полупроводников и диэлектриков.
Руководитель программы: проф. П. П. Коноров.
Кафедра Электроники Твердого Тела.
Научный руководитель: проф., д.ф-м.н. А. П. Барабан.
Рецензент: доц.ф-м.н. Е. А. Денисов.

Оптически активные центры в слоях SiO_2 на кремнии, связанные с дефицитом кислорода.
Бондаренко Виктория Петровна.

В рамках данной работы  изучались наиболее распространенные собственные дефекты окисных слоев, связанные с дефицитом кислорода, которые согласно имеющимся литературным данным эффективно проявляются в спектрах люминесценции. В случае слоев SiО_2 на кремнии к числу таких дефектов в первую очередь следует отнести: трехкоординированый кремний (О_3≡Si^.), кремний-кремниевую связь (Si-Si) и двухкоординированный кремний (силиленовый центр) (О_2= Si:). Целью работы являлось установление возможностей люминесцентных методов для выявления в слоях SiO_2 на кремнии дефектов, связанных с дефицитом кислорода, и определения изменения их концентраций в результате внешних деградационных воздействий. 
С использованием методов фотолюминесценции, катодолюминесценции и электролюминесценции получены спектральные распределения для структур Si-SiO_2 одного типа и проведен их детальный анализ. Было установлено, что спектральное распределение люминесценции структур Si-SiO_2 может быть аппроксимировано одним набором гауссовых распределений независимо от технологии формирования структур и способа возбуждения люминесценции. Исследована зависимость вида спектрального распределения КЛ структур Si-SiO_2 от условий возбуждения люминесценции (энергии возбуждающих электронов и плотности тока пучка) и толщины окисного слоя. Выявлена немонотонная зависимость интенсивности полос люминесценции от энергии возбуждающего пучка и сверхлинейная зависимость их интенсивности от плотности тока электронов. Сравнительный анализ вида спектральных распределений КЛ и ЭЛ позволил получить дополнительную информацию о процессах образования, локализации и возбуждения центров люминесценции, проявляющихся в синей и ультрафиолетовой областях спектрального распределения.
Вся совокупность полученных результатов позволяет  предположить следующую природу центров люминесценции в рассматриваемой спектральной области: 
- полосе с максимумом при энергии ~2,2 эВ соответствует дефект типа O_3≡Si•, локализованный в области межфазовой границы Si-SiO_2;
- полосе с максимумом при энергии ~2,63 эВ соответствует дефект типа  O=Si:, локализованный в окисном слое (области локализации внедренных при ИИ ионов);
- полосе с максимумом при энергии ~2,83 эВ соответствует дефект типа Si-Si  связи, локализованный в  окисном слое.

Список публикаций:
1. Барабан А.П., Бондаренко А.С., Бондаренко В.П., Петров Ю.В., Тимофеева К.А. Особенности люминесценции слоёв SiO_2 на кремнии в УФ-области спектра // Вестн. С.-Петерб. ун-та. Сер. 4. 2011. Вып. 2. C. 29–34.