Title: ПРАВИЛА ОФОРМЛЕНИЯ ТЕЗИСОВ КОНФЕРЕНЦИИ ВНКСФ-7
Author: Sergey Trapeznikov
Last saved by: Ilya
Company: Saint-Petersburg State University

Специализация: 010700/№04 Физика полупроводников. Микроэлектроника.
Программа: 31 Физика полупроводников и диэлектриков
Руководитель программы: проф., д.ф.-м.н. П. П. Коноров
Кафедра электроники твердого тела
Научный руководитель: проф., д.ф.-м.н. А. М. Яфясов
Рецензент: проф., д.ф.-м.н. А. П. Барабан

Теория области пространственного заряда для тонких полупроводниковых пленок
Дубицкий Илья Семенович

 Проводится численное моделирование электронных свойств области пространственного заряда в тонких полупроводниковых пленках. Рассмотрены материалы с параболическим (германий) и непараболическим (кадмий-ртуть-теллур) законами дисперсии носителей заряда. Изучение тонких пленок германия актуально в связи с возможностью создания транзистора на их основе. Кадмий-ртуть-теллур, в свою очередь, является одним из наиболее эффективных детекторов инфракрасного излучения в трех атмосферных окнах.
Проведено моделирование электронных свойств полупроводниковых пленок в рамках феноменологической теории области пространственного заряда. Для пленок, толщина которых сравнима с длиной волны Де Бройля носителей заряда, выполнено самосогласованное решение уравнений Шредингера для огибающих волновых функций и уравнения Пуассона. Для материалов, имеющих непараболический закон дисперсии носителей заряда, было проведено совместное решение уравнений Клейна Гордона Фока и Пуассона. 
Создан пакет программ, позволяющий рассчитать вольт-фарадные характеристики тонких пленок образцов, имеющих параболический и непараболический законы дисперсии. Установлены границы применимости феноменологического описания области пространственного заряда. Найдены уровни размерного квантования в тонких пленках и их зависимость от потенциала на поверхности образца. Обосновано применение приближения треугольной ямы при описании области пространственного заряда в тонких пленках с учетом размерного квантования и установлены границы этого приближения. Исследовано влияние подсистемы тяжелых дырок на вольт-фарадные характеристики полупроводников с непараболическими зонами.

Список публикаций

1. И.С. Дубицкий, Д.Е. Цуриков, А.М. Яфясов. Влияние релятивистских эффектов на дифференциальную емкость кристалла кадмий-ртуть-теллур. // XLV Школа ПИЯФ РАН, Гатчина. Секция физики конденсированного состояния. Сборник тезисов докладов, с.29
2. И.С Дубицкий, А.М. Яфясов. Расчет вольт-фарадных характеристик тонких пленок полупроводников. // 13 Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург. Сборник тезисов докладов, с.9
3. И.С Дубицкий, А.М. Яфясов. Расчет вольт-фарадных характеристик тонких пленок полупроводников. // Восемнадцатая международная научно-техническая конференция студентов и аспирантов, Москва. Сборник тезисов докладов том 1, с.271
4. И.С. Дубицкий, А.М. Яфясов. Квантовый и классический расчет области пространственного заряда в полупроводниковых пленках. XLVI Школа ФГБУ «ПИЯФ» по физике конденсированного состояния. Сборник тезисов докладов, с.30