Title: Специализация: 010700/17 Теоретическая и математическая физика
Author: Yuppie
Last saved by: Kolevatov
Company: RePack by SPecialiST

Специализация: 010700/04 Физика полупроводников. Микроэлектроника.
Программа: 31. Физика полупроводников и диэлектриков 
Руководитель программы: Коноров П.П.
Кафедра Электроники твердого тела
Научный руководитель: д. ф-м. н., проф. Вывенко О.Ф.
Рецензент: Бондаренко А.С.

Адмитанс спектроскопия  электронных состояний 
дислокационных сеток в сращенных пластинах 
кремния.

Колеватов Илья Леонидович

До сегодняшнего дня основным электрофизическим инструментом изучения структур с дислокационной сеткой вблизи поверхности была методика DLTS, которая в силу своей специфики позволяет исследовать центры с глубиной залегания более 100 мэВ. Вместе с тем,  наибольший интерес для исследования представляют более мелкие энергетические уровни дислокационной сетки. Применение адмитанс спектроскопии могло бы позволить нам определить параметры мелких ловушек, поскольку он позволяет регистрировать процессы обмена носителей с ловушками  со временами релаксации на три порядка меньшими, чем в методе DLTS
Целью данной работы было решение вопроса применимости ряда физических моделей метода спектроскопии адмитанса к образцам c интерфейсом границы зерна в области пространственного заряда и нахождение параметров мелких состояний дислокационной сетки.
Применение техники адмитанса спектроскопии при прямых токах позволило получить спектр состояний вблизи краев разрешенных зон, который соответствует зоноподобными уровнями как в p-, так и в n-типах. 

Список публикаций:
1.	Bondarenko, A., Vyvenko O., Kolevatov, I., Isakov, I., Kononchuk, O. "Dislocation structure, electrical and luminescent properties of hydrophilically bonded silicon wafer interface" (Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena 178-179 , pp. 233-242).
2.	 Kolevatov I. "Admittance spectroscopy of near-surface quantum-dimensional semiconductor structures" (published and presented at International Student Conference “Science and Progress”. Conference abstracts).
3.	Kolevatov I., Trushin M., Vyvenko O. “Energetic spectra of dislocation networks produced by hydrophilic bonding of silicon wafers” (will be presented at conference “Extended Defects in Semiconductors 2012”).