Направление: 011200 Физика
Профиль: Спектроскопия твёрдого тела
Кафедра физики твердого тела
Научный руководитель: проф. В. П. Кочерешко
Рецензент: проф. В. Ф. Агекян

Аномальные спектры отражения от эпитаксиальных слоёв GaN
Дубровин Василий Валерьевич

В работе был исследован аномальный ход спектра отражения объёмного кристалла GaN, выращенного молекулярной эпитаксией на подложке из сапфира, в области 3.46 - 3.47 эВ. Расчет производился для образцов с толщиной слоя = 1 µm. Исследования проводились при температуре T=3.3 K. 
Моделирование спектра отражения выполнено в программе MathCAD. Для объяснения аномального хода спектра отражения была использована модель переходного слоя у поверхности объемного полупроводника с добавочными граничными условиями Пекара:

По итогам работы можно сделать следующие выводы.
1.	Аномальный ход спектра отражения от объемного кристалла GaN объясняется интерференцией света в переходном слое полупроводника, образованном за счёт резкого роста потенциала по направлению к границе раздела двух сред.
2.	Модель переходного слоя позволяет наблюдать периодическое вращение контура экситонного отражения света при увеличении толщины этого слоя.
3.	Путем изменения толщины переходного слоя в модели удалось добиться аномального хода спектра отражения, аналогичного тому, что мы наблюдали в экспериментальном спектре.

Список публикаций
Публикаций не имею