Направление: 011200 Физика
Профиль: Физика полупроводников и диэлектриков
Кафедра электроники твердого тела
Научный руководитель: проф., д. ф.-м. наук А.П. Барабан
Рецензент: доцент, к. ф.-м. наук Е.А. Денисов

Особенности резистивного переключения в пленках оксида титана 
Селиванов Андрей Александрович

Резистивный эффект наблюдался физиками еще 60-70 годах прошлого века, в последнее время данное направление снова стало популярным. Интерес исследователей, в частности, объясняется возможностью использования данного эффекта для создания элемента памяти (мемристора), одним из наиболее перспективных материалов для реализации резистивного эффекта является оксид титана.
В работе изучены резистивные переключения, происходившие в тонкой пленке оксида титана при приложении достаточной разности потенциалов. Основной целью работы являлось определение оптимальных параметров функционирования мемристора в качестве элемента памяти.
По итогам работы были получены следующие результаты:
1. Для наблюдения повторяемых обратимых резистивных переключений необходима предварительная электроформовка синтезированных образцов.
2. В результате формовки создаются кислородные вакансии и их комплексы, обеспечивающие проводимость в состояниях RH (соответствует максимальному значению сопротивления) и RL (соответствует минимальному значению сопротивления), предположительно, по механизму Пула-Френкеля.
3. Основной причиной деградации исследованных структур являлся саморазогрев, вызванный протеканием тока.

Список публикаций
1. А.П. Барабан, А.А. Гаджала, В.А. Дмитриев, В.Е. Дрозд, И.О. Никифорова, Ю.В. Петров, В.А. Прокофьев, А.А. Селиванов. Структуры с управляемым сопротивлением, формируемые методом Молекулярного Наслаивания// Вестник СПбГУ. Серия 4: физика, химия. С.-Петербург, 2013. С. 42-47.
2. A.P. Baraban, A.A. Selivanov, A.S. Konashuk, V.E. Drozd, E.O. Filatova. Metal/IL/TiO2/metal nanostructures as the most promising switching materials in RRAM memory// Book of Abstracts-12th International Baltic ALD conference – May 12-13, 2014 Helsinki, Finland. P. 40.
3. E.O. Filatova, M.A. Konyushenko, A.S. Konashuk, A.A. Selivanov, V.E. Drozd, A.P. Baraban. Memristive switching in metal/TiO2/IL/metal nanostructures// Book of Abstracts- 2014 Spring Meeting Lille, France – May 26-30. P. S.9 9.
4. E.O. Filatova, A.P. Baraban, A.S. Konashuk, M.A. Konyushenko, A.A. Selivanov, A.A. Sokolov, F. Schaefers, V.E. Drozd. Transparent-conductive-oxide (TCO) buffer layer effect on resistive switching process in metal/TiO2/TCO/metal assemblies// New Journal of Physics, 2014. — Vol. 16, — P. 113014_1-15.
5. А.П. Барабан, В.Е. Дрозд, А.С. Конашук, А.А. Селиванов, Е.О. Филатова. Мемристор на основе двухслойной структуры с оксидом титана// Материалы XIII международной конференции «Физика диэлектриков» (Диэлектрики 2014) – 2-6 июня, 2014 С.-Петербург, Россия. T. 1, С. 153-156.