Author: kurOK
Last saved by: Admin
Company: TOSHIBA

Специализация: 010700/04 Физика 
Программа: 31 Физика полупроводников и диэлектриков
Руководитель программы: проф. П. П. Коноров
Кафедра электроники твердого тела
Научный руководитель: проф. О. Ф. Вывенко
Рецензент: проф. А. М. Яфясов

Влияние водорода на электрофизические свойства сращенных пластин кремния p-типа
А. В. Новиков

Методами вольт-фарадных характеристик и релаксационной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследовалось проникновение водорода в образцы кремния p-типа в процессе жидкостного химического травления и его воздействие на спектры электронных состояний дислокационной сетки. Образцы представляли собой диоды Шоттки, приготовленные на основе сращенных кремниевых пластин. 
Предложен и опробован новый метод внедрения водорода из электролита при подаче обратного напряжения на образец, помещенный в электролит. В результате экспериментов было показано, что приложение обратного смещения заметно не влияет на внедрение водорода из раствора плавиковой кислоты при комнатной температуре. Вместе с тем, оказалось, что водород, который присутствовал в приповерхностной области всех образцов независимо от указанной обработки, обнаруживается в результате проведения низкотемпературного отжига диодов вследствие его перемещения из приповерхностной области вглубь образцов под действием приложенного обратного напряжения. Кроме того обнаружено, что низкотемпературный отжиг при приложенном обратном напряжении приводит к значительному уменьшению плотности глубоких дислокационных уровней, ответственных за безызлучательную рекомбинацию, превращая их в более мелкие, которые ответственны за дислокационную люминесценцию. Таким образом, найден способ увеличения эффективности дислокационной люминесценции в кремнии.

.