Вывенко О.Ф.
Курс направлен на подготовку слушателя к постановке и проведению экспериментальных исследований физических свойств полупроводниковых материалов и структур, совокупность результатов которых могут быть использованы в приложениях. Особое внимание уделяется критериям выбора правильного метода исследования для решения той или иной поставленной задачи, исходя из сопоставления возможностей и ограничений различных методов, а также их погрешностях и артефактах.
Курс состоит из двух разделов:
Раздел 1 включает:
Основные сведения о кристаллической структуре и методах получения как классических, так и новейших полупроводниковых материалов и гетероструктур на их основе с выделением характерных для данного метода примесей и дефектов; теоретические основы методов изучения электронных явлений в полупроводниках, как методов получения достоверной количественной информации об их электрических и рекомбинационных характеристиках; сопоставление возможностей и ограничений различных методов.
Раздел 2 включает:
Информацию о широком круге неспецифичных только для полупроводников методов определения элементного и формульного состава твёрдых тел, профиля распределения примесей, структура кристаллов и дефектов. В нем рассматриваются, в частности, основы просвечивающей и сканирующей электронной микроскопии, рентгеновской флюоресценции и поглощения нейтронно-активационный анализ, обратное резерфордовское рассеяние ионов, вторично-ионная масс-спектрометрия, сканирующая туннельная микроскопия и микроскопия атомных сил и др.