Физики Санкт Петербургского государственного университета с коллегами из других научно образовательных организаций Петербурга изучили механизм формирования трехмерных структур на перспективном полупроводниковом сплаве индия галлия нитрид. Исследование поможет разработке нового поколения непланарных оптоэлектронных устройств в области электроники и связи.
