29 октября 2024 года состоится доклад академика РАН профессора СПбГУ Еугениюса Левовича Ивченко «g-факторы электрона и дырки В полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах». В докладе будет дан обзор экспериментальных и теоретических исследований эффекта Зеемана в полупроводниковых материалах.
Фактор Ландé, или g-фактор, является важным параметром электронной зонной структуры, который описывает спиновое расщепление электронных и дырочных состояний, а также уровней экситонов Ванье- Мотта во внешнем магнитном поле.
В первой части доклада будут представлены различные методы измерения g- факторов, а именно: 1) электронный парамагнитный резонанс (ЭПР), 2) оптически детектируемый магнитный резонанс (ОДМР), 3) комбинационное (рамановское) рассеяние света с переворотом спина, 4) спектральное разрешение экситонных подуровней, 5) магнитная циркулярная поляризация люминесценции (МЦФЛ), 6) эффект Ханле, 7) квантовые спиновые биения, 8) индуцированное магнитным полем антипересечение экситонных подуровней, 9) измерение спектра спинового шума в магнитном поле.
Вторая часть посвящена теории эффекта Зеемана. Например, в объемных полупроводниках А3В5 и А2В6 кубической симметрии g-фактор электронов хорошо описывается формулой Рот—Лэкса—Цвердлинга и его значения варьируются от ~2 в широкозонных полупроводниках до —51 в узкозонном соединении InSb. Другим современным примером могут служить кристаллы перовскита галогенида свинца APbX3 (A — Cs, MA, FA; X — Cl, Br, I). Затем будут рассмотрены структуры с квантовыми ямами, в которых g-фактор электрона становится анизотропным, а продольная и поперечная компоненты сильно зависят от толщины ямы.Теоретическая часть завершится анализом g-факторов в квантовых точках и особенностей эффекта Зеемана на дырках в валентной зоне полупроводника.
Начало: 15:10
Место проведения: СПбГУ, Петергоф, Ульяновская ул., д. 1, конференц-зал имени В. А. Фока
Семинар пройдет в смешанном формате с онлайн-трансляцией
Руководитель семинара: профессор А. А. Цыганенко, a.tsyganenko@spbu.ru