Ученые Санкт‑Петербургского государственного университета обнаружили новый механизм формирования нитевидных нанокристаллов типа «стержень‑оболочка» из индия, галлия и азота с высоким содержанием индия в стержне. Сформированные наноструктуры демонстрируют интенсивное излучение при комнатной температуре и могут быть использованы для создания новых светодиодов и лазеров.
Сплав InGaN (нитрид индия‑галлия), используемый сегодня для создания силовой электроники и светодиодов, также перспективен для газовых сенсоров, солнечных батарей и водородных ячеек. Его массовое применение ограничено — это связано с трудностями синтеза стабильного слоя.
Недавно ученые Санкт‑Петербургского университета подробно изучили механизмы формирования трехмерных (непланарных) структур на основе материала InGaN, применив научный и систематический подходы к описанию процессов роста этих структур. На основе таких соединений в СПбГУ уже создаются прототипы светодиодов, газовых сенсоров, ячеек для разложения воды и другое.